近日,韩国和美国均新增了一个SiC工厂,涉及碳化硅衬底和晶圆制造:
(资料图)
STI:投资约16.4亿在韩国釜山市建立一家新工厂,年产3万片SiC衬底。
阿肯色大学:总投资1.3亿人民币,碳化硅研究和制造工厂破土动工。
今天下午(8月22日),据韩媒报道,STI宣布将在釜山市建设一个年产3万片SiC晶圆的新工厂,以支持韩国车规SiC的本土供应。
据介绍,STI 将投资 3000 亿韩元(约16.4亿人民币),在釜山功率半导体细分专业园区建立SiC材料生产工厂。该项目的一期工程占地超 16000 平方米,预计明年下半年建成。届时,该项目将年产3万片6 英寸碳化硅衬底。
从 2025 年起,STI 将购置11.5万平方米的土地以扩建8吋线,利用自身设备批量生产 8 英寸碳化硅晶锭和衬底。
STI 成立于1989年,是一家热处理设备企业,主要研发生产光纤基础材料制造设备和石英玻璃电炉等设备。
除了碳化硅长晶外,该公司具有2项关键技术:
SiC PVT长晶炉
2021年,STI 开发出用于量产6英寸碳化硅的长晶炉,整个研发时间为2年时间,同时还透露他们目标是在2021年内开发出韩国首个8 英寸碳化硅长晶炉。
碳化硅粉料合成技术为了生产SiC粉料,STI 开发了氟化钙(CaF2)制造设备,并利用高纯度二氧化硅(SiO2)开发 SiC 粉末合成技术。据了解,STI 已经开发出纯度为99.9998%的5N级SiC粉。加入碳化硅大佬群,请加微信:hangjiashuo666
8月21日,美国阿肯色大学牵头建设的“多用户碳化硅研究和制造设施(MUSiC)”正式破土动工。
据介绍,该工厂占地 18660 平方英尺,将设有约 8000 平方英尺的洁净室,用于SiC制造和测试;该设施预计在2025年1月完工,届时MUSiC将全面启用。
值得注意的是,MUSiC的首席研究员Alan Mantoth还重点强调了8英寸碳化硅晶圆的开发工作。
“行家说三代半”了解到,该SiC工厂建设计划于2021年获得了美国国家科学基金会(NSF)及美国陆军研究实验室的支持,获得了约1800 万美元(约1.3亿人民币)的资金支持。
注:本文来源地方政府及企业官网,仅供信息参考,不代表“行家说三代半”观点。
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